SIC(탄화규소) 소재는 강한 공유결합 물질로 다른 세라믹 재료에 비하여
열전도율과 경도가 높고, 내플라즈마성, 내산화성, 내마모성, 내부식성,
고온안전성 및 열충격 저항성이 우수한 소재
반도체공정의 고집적도, 선폭 미세화, 수직화에 따른 고출력 플라즈마가 필요하나
기존 SI 소재의 수명문제로 CVD-SIC 소재로 변경되고 있음(침투율 20% 수준)
PM 주기 연장
우수한 표면 균일도 및 내화학성으로
POWDER와 부식 형성을 방지하여 PM주기 연장
원가 절감
우수한 내부식성 및 내화학성으로
소재의 마모가 적어 PM주기 연장
생산성 증가
PM주기 연장 및 사고 방지로 장비 정지 시간이
단축되어 생산성 향상에 기여
| Element | Ca | K | Ti | Cu | Zn | Al | Mg | Na | Fe | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 자사 CVD | 0.09 | 0.009 | 0.002 | 0.001 | 0.018 | 0.013 | 0.014 | 0.013 | 0.004 | |
| Element | Ca | K | Ti | Cu | |
|---|---|---|---|---|---|
| 자사 CVD | 0.09 | 0.009 | 0.002 | 0.001 | |
| Zn | Al | Mg | Na | Fe | |
| 0.018 | 0.013 | 0.014 | 0.013 | 0.004 | |
DISADVANTAGE
Si 소재는 내플라즈마 특성이 약해 Life Time이 짧고, 향후 고출력의
RF(Radio Frequency) Power를 사용해야 하는 환경에서 사용이 제한됨
ADVANTAGES
소모품 수명 연장에 따른 수율향상 및 비용절감.
기존 Si Ring보다 식각 정도 비교 시 내플라즈마 특성이 10배 이상 우수
수명 1.5배 향상
6N(99.9999%) 이상 고순도
반도체공정 시 불순물이 발생하지 않음
01CVD - Coating
CVD-SIC Multi Coating M/C
Temp : 600 ~ 1200℃
SIC 표면에 CVD 코팅 시 표면의 막이 더욱 치미질이 되어 불순물원소의 확산 방출을 막아주고, 대부분의 산성용액에 대해 내식성이 증가됩니다.
02CVD - Bulk
CVD-SIC Bulk Coating M/C
Temp : 600 ~ 1600℃
CVD-SIC제품은 기존에 주로 사용되던 단결정 SI(실리콘) 소재기반의 반도체용 부품을 대체하는 제품으로 SI 소재의 단점을 보완하기 위해 CVD(화학기상 증착) 방식으로 SI에 탄소(C)를 결합시켜 생산하게 됩니다.
